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| 规格书 |
 BSL307SP |
| 文档 |
Multiple Devices 28/Mar/2008 |
| Rohs | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 5.5A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 43 mOhm @ 5.5A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2V @ 40µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 29nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 805pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | SC-74, SOT-457 |
| 供应商器件封装 | P-TSOP6-6 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| P（ TOT ） | 2.0W |
| 匹配代码 | BSL307SP |
| 包装 | TSOP-6 |
| 单位包 | 3000 |
| 标准的提前期 | 6 weeks |
| 最小起订量 | 3000 |
| 极化 | P-CHANNEL |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| 我（D ） | 5.5A |
| V（ DS ） | 30V |
| R（ DS上） | 0.043Ohm |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 5.5A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2V @ 40µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 标准包装 | 3,000 |
| 供应商设备封装 | P-TSOP6-6 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 43 mOhm @ 5.5A, 10V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 封装/外壳 | SC-74, SOT-457 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 805pF @ 25V |
| 其他名称 | BSL307SPINTR |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 29nC @ 10V |
| RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 类别 | Small Signal |
| 通道模式 | Enhancement |
| 渠道类型 | P |
| 配置 | Quad Drain |
| 外形尺寸 | 2.9 x 1.6 x 1mm |
| 身高 | 1mm |
| 长度 | 2.9mm |
| 最大连续漏极电流 | 5.5 A |
| 最大漏源电阻 | 74 mΩ |
| 最大漏源电压 | -30 V |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 2 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装类型 | PG-TSOP-6-1 |
| 引脚数 | 6 |
| 典型栅极电荷@ VGS | -23.4 nC @ -10 V |
| 典型输入电容@ VDS | 805 pF @ -25 V |
| 典型关闭延迟时间 | 36.4 ns |
| 典型导通延迟时间 | 7.3 ns |
| 宽度 | 1.6mm |
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